- 杂质分布对其性能影响的研究
- 导通电阻模型考虑了ldmos的沟道横向杂质分布和漂移区杂质纵向分布的结构特点,给出了导通电阻与杂质分布参数的明确函数关系。
- 激光诱导扩散过程中,基片的热物理特性、扩散源的扩散机理、激光束的功率大小和扩散时间以及光束的聚焦状况等等,都会对扩散结果产生重要的影响,而扩散层的杂质分布情况将直接决定器件的性能指标。
- 在平面工艺初期,由于b在硅中的固溶度、扩散系数与n型发射区的磷相匹配, sio _ 2对其又有良好的掩蔽作用,早被选为npn硅平面器件的理想基区扩散源,但b在硅中的固溶度大( 1000时达到5 10 ~ ( 20 ) ,扩散系数小, b在硅中的杂质分布不易形成pn结中杂质的线性缓变分布,导致器件不能满足高反压的要求,随之又出现了硼铝涂层扩散工艺和闭管扩镓工艺,前者会引起较大的基区偏差,杂质在硅内存在突变区域,导致放大系数分散严重,下降时间t _ f值较高,热稳定性差;后者需要难度较大的真空封管技术,工艺重复性差,报废率高,在扩散质量、生产效率诸方面均不能令人满意。
- 这样,完成200mm ( 8时)圆片杂质的扩散分布需要对许多图形进行测试,需要花费很长的时间,当测试300mm硅片时问题就更为突出。本文将图象与视觉测量系统引入四探针测试系统中,对采集到的原始探针图像进行预处理、边缘提取等操作,以便实现探针针尖的识别,然后由电机控制实现探针的自动定位。这样测试系统可以自动获得全片的薄层电阻分布,为超大规模集成电路检测杂质分布和扩散的均匀性提供信息。
Last modified time:Fri, 15 Aug 2025 00:29:56 GMT