增强型器件造句

情况与增强型器件的类似。
耗尽型器件在其栅极电压为零时也存在沟道，而增强型器件一定要施加栅极电压才有沟道出现。
⑤JFET一般是耗尽型的，但若采用高阻衬底,也可得到增强型JFET(增强型JFET在高速、低功耗电路中很有应用价值)；但是一般只有短沟道的JFET才是能很好工作的增强型器件。
若n-AlxGa1-xAs层厚度较大、掺杂浓度又高，则在Vg=0时就存在有2-DEG,为耗尽型器件，反之则为增强型器件(Vg=0时Schottky耗尽层即延伸到i-GaAs层内部)；但该层如果厚度过大、掺杂浓度过高,则工作时就不能耗尽,而且还将出现与S-D并联的漏电电阻。
用增强型器件造句挺难的，這是一个万能造句的方法