バイアス電圧中文什么意思

例句与用法

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1. 駆動電圧印加時には，可動電極?固定電極間にバイアス電圧を印加する。
   在加载驱动电压时，向可动电极－固定电极间加载偏置电压。
2. なお，以下では，フォワード？バイアス電圧＠ｅｑｕａｔｉｏｎ＿０＠とする．
   那么，下面设定前锋偏压电压为＠ｅｑｕａｔｉｏｎ＿０＠。
3. バイアス電圧とバイアス電流の測定にはそれぞれデジタル電圧計とデジタル電流計を用いた。
   偏压电压和偏压电流的测定分别使用数字电压计和数字电流计。
4. 検出振動系の共振周波数を調整するため，調整電極に対してＤＣバイアス電圧を印加した。
   为了调整检测振动部分的共振频率，向调整电极加载了ＤＣ偏置电压。
5. ＡＤのバイアス電圧をパラメーターとして，光電面電圧に対するゲイン特性を示している。
   该图以ＡＤ的偏置电压为参数，显示了相对于光电阴极电压的增益特性。
6. また，バイアス電圧１５０Ｖのときアバランシェゲインは約５０倍であり，トータルゲインとしておよそ５ｘ１０＾｛４｝が得られる。
   另外，偏置电压为１５０Ｖ时，雪崩增益为约５０倍，能够得到的总增益约为５ｘ１０＾｛４｝。
7. このとき，ｎＭＯＳ，ｐＭＯＳそれぞれに与えるフォワード？バイアス電圧ＶＦＢ―ｎ，ＶＦＢ―ｐを＠ｅｑｕａｔｉｏｎ＿０＠と定義する．
   这时，将分别给ｎＭＯＳ、ｐＭＯＳ的前锋电压ＶＦＢ―ｎ、ＶＦＢ―ｐ定义为＠ｅｑｕａｔｉｏｎ＿０＠。
8. それに対して提案手法では，クロックの供給を制御する信号ＬＥＮに対してｎＭＯＳ，ｐＭＯＳそれぞれのバイアス電圧制限用にリミッタを１個ずつ挿入する．
   对此，提案方法中对控制仪表供给的信号ＬＥＮ分别插入一个ｎＭＯＳ和ｐＭＯＳ的用于偏压电压控制的限制器。
9. バイアス電圧３０Ｖのときアバランシェゲインは１であり，光電面電圧?８ｋＶで電子打ち込みゲインに相当する約１，０００倍のゲインが得られる。
   偏置电压为３０Ｖ时，雪崩增益为１，光电阴极电压为－８ｋＶ时能够得到相当于电子轰击增益的约１，０００倍的增益。
10. ＤＬＣはリーク電流の大幅な削減が見込まれるが，メモリにアクセスするたびにバイアス電圧を変更するためアクセス時間のオーバヘッドが無視できない．
    一般认为，ＤＬＣ可以大幅减小漏电流。但是，访问存储器时需更改偏向电压，因此不能忽视访问时间造成的经常损失。